SK海力士开始量产全球最高的321层NAND闪存

· 开发出业界首款321层 1TB TLC NAND闪存，将于明年上半年开始供应
· 采用“3-Plug”工艺技术突破堆叠极限，与上一代相比，性能和生产效率都有所提升
· "加强AI领域存储竞争实力，跃升为 '全方位面向AI的存储器供应商' "

SK海力士21日宣布，开始量产全球最高的321层 1Tb（太比特，Terabit）TLC（Triple Level Cell）^* 4D NAND闪存。

SK海力士表示：“公司从2023年6月量产当前最高的上一代238层NAND闪存产品，并供应于市场，此次又率先推出了超过300层的NAND闪存，突破了技术界限。计划从明年上半年起向客户提供321层产品，由此应对市场需求。

公司在此次产品开发过程中采用了高生产效率的“3-Plug^*”工艺技术，克服了堆叠局限。该技术分三次进行通孔工艺流程，随后经过优化的后续工艺将3个通孔进行电气连接。在其过程中开发出了低变形^*材料，引进了通孔间自动排列（alignment）矫正技术。公司技术团队也将上一代238层NAND闪存的开发平台应用于321层，由此最大限度地减少了工艺变化，与上一代相比，其生产效率提升了59%。

^* 通孔（Plug）:堆叠多层基板之后，为一次性形成单元的垂直孔。

^* 低变形（Low Stress）:通过改变plug内填充的物质，减少变形。

此次321层产品与上一代相比，数据传输速度和读取性能分别提高了12%、13%，并且数据读取能效也提高10%以上。SK海力士将以321层NAND闪存积极应对面向AI的低功耗、高性能新市场，并逐渐扩大其应用范围。

SK海力士NAND闪存开发担当副社长崔正达表示：“公司率先投入300层以上的NAND闪存量产，在攻占用于AI数据中心的固态硬盘、端侧AI等面向AI的存储(Storage，存储装置)市场方面占据了有利地位。由此公司不仅在HBM为代表的DRAM，在NAND闪存领域也具备超高性能存储器产品组合，将跃升为‘全方位面向AI的存储器供应商’。”